扫除又一专利障碍，长江存储与Xperi达成DBI混合键合技术专利许可
扫除又一专利障碍，长江存储与Xperi达成DBI混合键合技术专利许可 10月14日消息，美国知识产权公司Xperi于当地时间10月12日宣布，其已与...
10月14日消息，美国知识产权公司Xperi于当地时间10月12日宣布，其已与长江存储签署了一项许可协议，该协议包括获得与Xperi的DBI混合键合技术相关的半导体知识产权的基础组合。
据新闻稿介绍，目前混合结合 3D 集成技术越来越多地用于传感器、内存和逻辑设备等各种半导体设备，从而在降低尺寸和成本的同时提高性能和功能。在 3D NAND 应用中，DBI 混合键合技术实现了内存阵列和逻辑电路的分离与结合，从而使得每个部分可以使用最佳晶圆工艺节点。
Xperi 的全资子公司 Invensas 总裁克雷格·米切尔（Craig Mitchell）表示：“Xperi 的 DBI 混合键合技术是当前和未来一代高性能、高容量 3D NAND 闪存的关键支持技术。我们很荣幸能够为长江存储提供我们基础 IP 组合的授权，并期待进一步扩大我们的合作关系。”
根据官网资料显示，Xperi是业界规模领先的一家知识产权许可商拥有超过11,000 项媒体和半导体全球专利，过去20年来的其IP收入高达80 亿美元。而在过去 30 年中，Xperi开创了半导体行业的基本进步。Xperi 拥有涵盖混合键合、半导体封装和半导体加工技术的庞大且不断增长的知识产权组合，并拥有全球领先半导体公司的许可和合作伙伴。
根据芯智讯的了解，此次长江存储与Xperi达成专利授权协议，获得其DBI混合键合技术相关的半导体知识产权的基础组合，或许与长江存储的Xtacking技术相关。
资料显示，在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，这也使得芯片的存储密度大幅降低。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。而长江存储研发的Xtacking技术则是将外围逻辑电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度，而逻辑电路单元和存储单元之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现。
之前Tech Insights对于长江存储128层3D NAND的拆解也显示，其Xtacking架构中逻辑单元与存储单元之间采用了混合键合方法，使得其使用的金属层数量远高于其他产品。
而从此次长江存储与Xperi达成专利授权协议来看，长江存储Xtacking技术当中逻辑单元与存储单元之间的混合键合方法可能涉及到了Xperi的DBI 混合键合技术，随着双方达成授权协议，则为长江存储扫除了又一个专利障碍。
编辑：芯智讯-浪客剑